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米·日、次世代半導体「Mラム」の共同開発
20以上の半導体関連企業が次世代メモリMRAM技術の開発に乗り出した。
2013-11-25 21:53
世界2位のメモリー半導体メーカー、米国マイクロン·テクノロジーと、日本の東京エレクトロンなど、20以上の半導体関連企業が次世代メモリー半導体の共同開発に乗り出す。
24日の日本経済新聞は、米国と日本の半導体関連企業がスマートフォンなどのモバイル機器の性能を大幅に向上させる次世代メモリー半導体であるMRAM（磁気記録式メモリー）の技術開発に乗り出したと報じた。
共同開発では、ミクロンをはじめ、世界3位の半導体製造装置メーカーである東京エレクトロンと世界最大の半導体ウエハメーカーである信越化学工業、日本の半導体大手のルネサスと日立製作所などの各分野の企業が参加する。
これらは来年初めから研究拠点である日本では東北大学に数十人の技術者を派遣し、本格的な技術開発に着手する。これにより、2016年までに技術開発を完了し、早ければ2018年からマイクロンが買収したエルピーダの広島工場で、早ければ製品の量産に入る計画だ。
今回の共同開発に着手について同紙は、グローバル競争力の高い日本の素材·機器メーカーを結集してMラム源泉技術を早期に確保し、次世代メモリの開発に主導権を握ろうと分析した。
特にエルピーダがマイクロンに買収されるなど、日本の半導体産業の競争力が低下して、半導体の研究開発が空洞化されることが危機感が台頭した状態で出てきたニュースである。
Mラムは次世代のメモリとして、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の良さとDラムに比べて記憶容量が10倍に増え、消費電力は3分の2水準に減らすことができ、コストの削減と微細プロセス化の限界に直面しているしたDラムの代わりに挙げられる。
国内譲渡の半導体メーカーであるサムスン電子とSKハイニックスも、次世代Mラムの開発に速度を出している。
SKハイニックスは、日本の東芝と共同でMラムの共同開発に乗り出した。
去る2011年、米国のMラム開発会社であるグランディスを合併・買収（M＆A）したサムスン電子も、来年から次世代Mラムの研究開発を強化するため、大規模な共同プロジェクトを稼動する予定である。